7．半導体レーザーの主な用語

用語	記号	説明
レーザー発振	―	媒質にエネルギーを供給し、共振器内で光を反射・増幅させて、強いコヒーレント光（レーザー光）を発生させること。
可視光	―	電磁波のうち、人の目で見える380～780nmの波長範囲の光こと。波長が短い順に紫・藍・青・緑・黄・橙・赤と呼びます。
スペクトル	―	分光器を通すことで得られる電磁波の波長毎の強度分布のこと。活性層の化合物半導体材料や設計でスペクトルが異なります。
コヒーレント	―	光が持つ性質のことで、波同士の干渉しやすさ（位相の揃い具合）を表したもの。レーザー光はコヒーレントな光の代表例です。
ビームモード	―	半導体LDから出力された光の形状とスペクトルの分布のこと。単一横モードと、多重横モードがあります。
単一横モード	―	ビーム形状が楕円形でスペクトルが中心に集中しているモード。ビーム品質は良いが低出力です。シングルモードともいいます。
多重横モード	―	ビーム形状が楕円形または複数の円形であり、波長スペクトルのピークが複数存在しているモード。マルチモードともいいます。
絶対最大定格	―	半導体LDの駆動時に絶対に超えてはならない限界値のこと。瞬時でも超えると半導体LDの破損や著しい性能低下を招きます。
光出力	―	半導体LDから取り出される光の量。出力方式の違いで直流光出力とパルス光出力に分けられます。
ＷＰＥ	―	電力変換効率。半導体LDの発光効率を表す指標のこと。ウォールプラグ効率（Wall-plug efficiency）の意味。単位は%。
周囲温度	Ta	半導体LD周囲の大気温度のこと。高温状態が続くと半導体LDに影響が出てくるので、周囲温度を低く保つことが大切です。
ケース温度	Tc	CANステムやフレームの温度。仕様書で測定位置を定めています。半導体LDが通電している状態の温度（動作温度）も同義です。
ジャンクション温度	Tj	熱源であるレーザーチップの温度。周囲温度とケース温度を制御して、ジャンクション温度を低く保つことが大切です。
熱抵抗	Rth	放熱性能を評価する指標で熱の伝わりにくさのこと。周囲温度～ケース温度間の熱抵抗が高い、のように使われます。
しきい値電流	Ith	半導体LDが光を放射するために必要な最小電流のこと。しきい値電流を超えると放射される光出力が急激に増加します。
動作電流	Iop	半導体LDが正常に動作するために必要な順方向電流のこと。光出力との相関をみる「I-Lグラフ」でよく使われます。
動作電圧	Vop	半導体LDが正常に動作するために必要な順方向電圧のこと。動作電流との相関をみる「I-Vグラフ」でよく使われます。
順電流	If	半導体LDの極性にあわせて電圧を印加した際の電流のこと。順方向電流ともいいます。
順電圧	Vf	半導体LDの極性にあわせて印加した電圧のこと。順方向電圧ともいいます。
ピーク発振波長	λp	半導体LDが光を発振する際に、最大の発光強度を示すピーク時波長のこと。
ビーム広がり角	θ//, θ⊥	半導体LDから放射された光について、ピーク強度の半分の幅を表したもの。θ//は水平方向、θ⊥は垂直方向を表します。
放射光軸ずれ位置	⊿x, ⊿y, ⊿z	レーザーチップ位置のx,y,z方向のずれを表したもの。⊿x,⊿yはパッケージ中心からのずれ、⊿zは基準面からのずれ。
放射光軸ずれ角	⊿θ//, ⊿θ⊥	基準面に対する光軸のずれを表したもの。⊿θ//は水平方向、⊿θ⊥は垂直方向を表します。
スロープ効率	ηd	レーザー発振領域における、単位駆動電流当たりの光出力の平均増加値のこと。「I-Lグラフ」における傾きに相当します。
キンク率	K-LI	動作電流と光出力の相関で、途中で曲がって傾きが変わること。当社は光学設計に影響が少ない範囲で仕様書で定義しています。
干渉パターン強度比	α	レーザー光のコヒーレント性を表すパラメータのこと。干渉縞を形成した際の明瞭度の減衰率で表します。